TF ANALYZER 2000E是一款扩展性的模块化铁电压电分析仪，具备铁电、压电、热释电材料所有基本特性测试功能，可与激光干涉仪和SPM扫描探针显微镜等微位移传感器联用，可广泛地应用于如各种铁电/压电/热释电薄膜、厚膜、体材料和电子陶瓷、铁电传感器/执行器/存储器等领域的研究。

铁电压电分析仪 TF Analyzer 1000 TF ANALYZER 1000是一款紧凑型铁电压电分析仪，具备铁电、压电材料所有基本特性测试功能，可与激光干涉仪和SPM扫描探针显微镜等微位移传感器联用，适用于薄膜、厚膜和块状陶瓷及铁电器件等分析测试。

内存窗口信息是基于对器件*集成后进行模拟电滞回线测量后得出的。 应用领域： 铁电存储器的生产 生产过程中的质量控制，以便不会影响到CMOS生产过程 在MHz的操作速度下，单级电滞回线数据 优点： 生产过程的工艺优化 在MHz范围的时间影响测试 适用于2T-2C 设计和1T-1C设计

本设备主要用来研究电子陶瓷材料的迟豫性能，也就是介电体和铁电材料的极化和去极化电流的，即施加电压阶跃后的电流响应。该测试能将材料的驰豫电流和漏电流分开，并可记录极化响应电流和去极化响应电流。 技术说明：

双光束激光干涉仪专门用于压电薄膜的蝴蝶曲线和纵向压电系数d33的测试。 这一台适合于从小尺寸薄膜到8英寸晶圆表征的双光束激光干涉仪。 半自动的系统用于8“晶圆上的MEMS器件的压电性和电性相关性能的测试。 大量样品测试的重复精度可达2%以上。

热释电性能测试仪 aixPYM (Pyroelectric Measurement) 本系统主要用于薄膜及块体材料变温的热释电性能测试。 薄膜材料变温范围：-196℃到+600℃； 块体材料变温范围：室温到200℃、室温到600℃、室温到800℃、-100℃到+600℃、-184℃到+315℃五种夹具可选。