描述：内存窗口信息是基于对器件*集成后进行模拟电滞回线测量后得出的。

应用领域：
铁电存储器的生产
生产过程中的质量控制，以便不会影响到CMOS生产过程
在MHz的操作速度下，单级电滞回线数据

优点：
生产过程的工艺优化
在MHz范围的时间影响测试
适用于2T-2C 设计和1T-1C设计

铁电随机存储器测试仪
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

内存窗口信息是基于对器件*集成后进行模拟电滞回线测量后得出的。

应用领域：
铁电存储器的生产
生产过程中的质量控制，以便不会影响到CMOS生产过程
在MHz的操作速度下，单级电滞回线数据

优点：
生产过程的工艺优化
在MHz范围的时间影响测试
适用于2T-2C 设计和1T-1C设计
从模拟测试数据得出内存窗口信息
客户可定制测试环境
升级服务
客户支持

程序功能：
可以在单一器件上进行电滞回线、PUND脉冲测试等测试过程。
上升时间可实现1μm，自定义的测试脉冲可以用于测试不同类型的失效机制。预极化脉冲参数可以在测试序列里单独设置。
可以使用Access Time程序进行相同脉冲强度下不同幅值相同脉冲宽度或相同脉冲幅值不同脉冲宽度的测试。
这些测试是基于的技术：原位寄生电容补偿。

特点：
FeRAM测试仪是用来记录全面的测试单元电滞回线的，测试仪生成所需要的时间。
如果芯片的布局发生变化，可以自动获取材料特性较大的阵列。这种情况下，测试仪是用一个开关盒和一个探针台工作的。软件可以自动调整设置的参数。
参数的统计评价是通过aixPlorer完成的。
FeRAM测试仪最大的优点就是可以使重要信息流程化，从而提高产量，降低了成本，从而减少了产品上市的时间。相关的数字结果和模拟实验提供了重要信息。
FeRAM测试仪拥有高分辨测量和速度到微秒的测量功能。