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型号:
RTP4-1200型全温区快速退火炉

描述:RTP4-1200型快速退火炉快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),在吸收了生产制造工艺的基础上自主研发了该款产品。该设备不但拥有极快的升温速率200℃/S,而且在烧结工艺运行完结,直接将试样在高温区取出。实现物理状态下的最快降温。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺,在绿色节能环保的基础上真正的实现了试样的极速升降温.多重保护功能,过温报

  • 厂商性质

    生产厂家
  • 更新时间

    2024-12-05
  • 访问量

    68
详细介绍
品牌其他品牌产地类别国产
应用领域环保,能源,电子,航天,综合

RTP4-1200全温区快速退火炉

关键词:快速退火炉,RTP, 200℃/S

RTP4-1200型全温区快速退火炉

 

RTP4-1200型快速退火炉快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),在吸收了生产制造工艺的基础上自主研发了该款产品。该设备不但拥有极快的升温速率200℃/S,而且在烧结工艺运行完结,直接将试样在高温区取出。实现物理状态下的最快降温。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺,在绿色节能环保的基础上真正的实现了试样的极速升降温.多重保护功能,过温报警,过热报警,过热自动保护,水压报警,水压异常自动保护是材料研究的重要设备,目前在各大高校,科研院所及生产单位广泛使用。

一、RTP4-1200型快速退火炉应用领域

速热退火 (RTA); 离子注入后退火

石墨烯等气象沉积,碳纳米管等外延生长

快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);

硅化 (Silicidation);

扩散 (Diffusion);

离子注入后退火 (Implant Annealing);

电极合金化 (Contact Alloying);

晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);

化合物半导体:

√LED芯片

√光通讯芯片

√射频芯片

√功率半导体芯片

2.应用的工艺:

√离子注入后快速退火

√ITO镀膜后快速退火

3.其他应用领域:

氧化物、氮化物生长

硅化物合金退火

砷化镓工艺

欧姆接触快速合金

氧化回流

其他快速热处理工艺

产品特点:

可测大尺寸样品:可测单晶片样品的尺寸为1-8英寸。

压力控制系统创新设计:高精度控制压力,以满足不同的工艺要求。

存储热处理工艺:方便工艺参数调取,提高实验效率,数据可查询。

快速升温:最高升温速率可达200/s。

程序设定与气路扩展:可实现不同温度段的精确控制,进行降温段的自动转接,并能够对工艺菜单进行保存,方便调用。采用MFC精确控制气体流量,最多可支持6路气体,实现不同气氛环境(真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等)下的热处理。

全自动智能控制:采用全自动智能控制,包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。

超高安全系数:采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,保障设备使用安全。

分区控温:分区域控制加热功率,提高温度均匀性。

 

RTP4-1200型快速退火炉主要技术参数:

 

温度范围

100 – 1300 ℃

升温速率

2  —  200 ℃/秒可调

密封石英腔内面尺寸

215 X 140X 14 毫米

样品最大尺寸

4英寸

计算机控制器

PC 机控制,内存 4G,500G硬盘,处理器:I3 以上及快速热处理编程控制软件RTP-500的控制软件.
可编程温度曲线存储1500 条以上, 每条曲线包括100段以上, 温度设定范围 25—1300℃ , 每段时间设定范围1—30000 秒。数据可导出为文本文件便于数据处理。自动优化温控。

温度设定范围

100-1300℃

温度重复性

+/-1℃ 6区控温

测温精确度

100-1300全温度段精度>0.5%

测温装置

K型热电偶

温度曲线

自动记录,保存,文本格式转换,支持彩色分页打印

1000℃连续工作时间

双闭环温度控制,稳态温度稳定性±2℃ ,1000℃连续工作>1小时

光源

1.25KW X 13 卤钨灯

电源

380 V  40A 三相 四线(三火线, 零线),50/60Hz

水源

自来水或循环水, 水压 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分

冷却方式

水冷,风冷,气冷

安全装置

过温报警,过热报警,过热自动保护,水压报警,水压异常自动保护


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